深量子阱电吸收调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610105465.9

申请日：

2006-06-08

公开(公告)号：

CN1909312A

公开(公告)日：

2007-02-07

发明(设计)人：

D·P·布尔 A·坦顿 M·R·T·谭

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01S5026

IPC分类号：

H04B1000

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;张志醒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-07	公开	公开
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672699950 IPC(主分类):H01S 5/026 专利号:ZL2006101054659 申请日:20060608 授权公告日:20110413 终止日期:20150608
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-04-13	授权	授权
2013-06-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101603019805 IPC(主分类):H01S 5/026 专利号:ZL2006101054659 变更事项:专利权人变更前权利人:阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司变更后权利人:安华高科技通用IP(新加坡)公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:新加坡新加坡市登记生效日:20130508

共 50 条

[1]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07

[2]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

中国专利 :CN112204459A ,2021-01-08

[3]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN117742017A ,2024-03-22

[4]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10

[5]

锗硅电吸收调制器 [P].

李亚明 ;

成步文 .

中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06

[6]

量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 [P].

邵永波 ;

赵玲娟 ;

于红艳 ;

潘教青 ;

王宝军 ;

王圩 .

中国专利 :CN102162968A ,2011-08-24

[7]

用于电吸收调制器的电吸收偏置电路 [P].

里卡多·萨德 ;

刘晓蓉 ;

薛玉婷 ;

古塔姆·库马尔 .

中国专利 :CN109428260B ,2019-03-05

[8]

一种电吸收调制器 [P].

胡晓 ;

张宇光 ;

陈代高 ;

肖希 ;

王磊 ;

刘敏 ;

刘佳 ;

张红广 ;

徐路 .

中国专利 :CN114035347B ,2024-01-30

[9]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 .

中国专利 :CN220894684U ,2024-05-03

[10]

一种电吸收调制器 [P].

胡晓 ;

张宇光 ;

陈代高 ;

肖希 ;

王磊 ;

刘敏 ;

刘佳 ;

张红广 ;

徐路 .

中国专利 :CN114035347A ,2022-02-11

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