电吸收调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980028386.8

申请日：

2019-02-26

公开(公告)号：

CN112204459A

公开(公告)日：

2021-01-08

发明(设计)人：

余国民 A·J·齐尔基

申请人：

申请人地址：

英国柴郡

IPC主分类号：

G02F1017

IPC分类号：

G02F1025

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

瞿文慧;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	公开	公开
2021-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/017 申请日:20190226

共 50 条

[1]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07

[2]

锗硅电吸收调制器 [P].

李亚明 ;

成步文 .

中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06

[3]

基于环腔的电吸收调制器 [P].

孙长征 ;

刘冬 ;

熊兵 ;

罗毅 .

中国专利 :CN102338940A ,2012-02-01

[4]

用于电吸收调制器的电吸收偏置电路 [P].

里卡多·萨德 ;

刘晓蓉 ;

薛玉婷 ;

古塔姆·库马尔 .

中国专利 :CN109428260B ,2019-03-05

[5]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN117742017A ,2024-03-22

[6]

一种电吸收调制器 [P].

胡晓 ;

张宇光 ;

陈代高 ;

肖希 ;

王磊 ;

刘敏 ;

刘佳 ;

张红广 ;

徐路 .

中国专利 :CN114035347B ,2024-01-30

[7]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10

[8]

深量子阱电吸收调制器 [P].

D·P·布尔 ;

A·坦顿 ;

M·R·T·谭 .

中国专利 :CN1909312A ,2007-02-07

[9]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 .

中国专利 :CN220894684U ,2024-05-03

[10]

一种电吸收调制器 [P].

胡晓 ;

张宇光 ;

陈代高 ;

肖希 ;

王磊 ;

刘敏 ;

刘佳 ;

张红广 ;

徐路 .

中国专利 :CN114035347A ,2022-02-11

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