基于环腔的电吸收调制器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110256183.X
申请日
2011-08-31
公开(公告)号
CN102338940A
公开(公告)日
2012-02-01
发明(设计)人
孙长征 刘冬 熊兵 罗毅
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
IPC主分类号
G02F1017
IPC分类号
G02B6122
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
王莹
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
电吸收调制器 [P]. 
余国民 ;
A·J·齐尔基 .
英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07
[2]
电吸收调制器 [P]. 
余国民 ;
A·J·齐尔基 .
中国专利 :CN112204459A ,2021-01-08
[3]
用于电吸收调制器的电吸收偏置电路 [P]. 
里卡多·萨德 ;
刘晓蓉 ;
薛玉婷 ;
古塔姆·库马尔 .
中国专利 :CN109428260B ,2019-03-05
[4]
锗硅电吸收调制器 [P]. 
李亚明 ;
成步文 .
中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06
[5]
用于电吸收调制器的驱动电路 [P]. 
埃德加德·戈巴 ;
亨利克·阿尔费尔特 ;
克里斯特·弗勒伊德 .
中国专利 :CN1981234A ,2007-06-13
[6]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 ;
吴芳 .
中国专利 :CN117742017A ,2024-03-22
[7]
一种电吸收调制器 [P]. 
胡晓 ;
张宇光 ;
陈代高 ;
肖希 ;
王磊 ;
刘敏 ;
刘佳 ;
张红广 ;
徐路 .
中国专利 :CN114035347B ,2024-01-30
[8]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 ;
吴芳 .
中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10
[9]
深量子阱电吸收调制器 [P]. 
D·P·布尔 ;
A·坦顿 ;
M·R·T·谭 .
中国专利 :CN1909312A ,2007-02-07
[10]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 .
中国专利 :CN220894684U ,2024-05-03