一种电吸收调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111527531.2

申请日：

2021-12-14

公开(公告)号：

CN114035347B

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

胡晓张宇光陈代高肖希王磊刘敏刘佳张红广徐路

申请人：

武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层

IPC主分类号：

G02F1/015

IPC分类号：

G02F1/025

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

徐雯;蒋雅洁

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种电吸收调制器 [P].

胡晓 ;

张宇光 ;

陈代高 ;

肖希 ;

王磊 ;

刘敏 ;

刘佳 ;

张红广 ;

徐路 .

中国专利 :CN114035347A ,2022-02-11

[2]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07

[3]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

中国专利 :CN112204459A ,2021-01-08

[4]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN117742017A ,2024-03-22

[5]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 ;

吴芳 .

中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10

[6]

一种电吸收调制器 [P].

文博昱 .

中国专利 :CN220894684U ,2024-05-03

[7]

锗硅电吸收调制器 [P].

李亚明 ;

成步文 .

中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06

[8]

用于电吸收调制器的电吸收偏置电路 [P].

里卡多·萨德 ;

刘晓蓉 ;

薛玉婷 ;

古塔姆·库马尔 .

中国专利 :CN109428260B ,2019-03-05

[9]

深量子阱电吸收调制器 [P].

D·P·布尔 ;

A·坦顿 ;

M·R·T·谭 .

中国专利 :CN1909312A ,2007-02-07

[10]

一种电吸收调制器及其制备方法 [P].

李志华 ;

周国奇 ;

李彬 ;

尹旺旺 .

中国专利 :CN118169908A ,2024-06-11

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