SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器

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专利类型
实用新型
申请号
CN201790001047.7
申请日
2017-01-16
公开(公告)号
CN210005813U
公开(公告)日
2020-01-31
发明(设计)人
余国民 G.伊塞拉 J.弗里格里奥 A.巴拉比奥
申请人
申请人地址
英国伦敦
IPC主分类号
G02F1017
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
李湘;闫小龙
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器 [P]. 
余国民 .
中国专利 :CN109791314A ,2019-05-21
[2]
基于量子限制斯塔克效应的量子点光学调制器 [P]. 
张家雨 ;
王志兵 ;
李君劲 .
中国专利 :CN101639577A ,2010-02-03
[3]
一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法 [P]. 
张家雨 ;
樊恺 ;
廖晨 .
中国专利 :CN105487264A ,2016-04-13
[4]
基于量子限制斯塔克效应的光开关 [P]. 
张家雨 ;
陈伟敏 ;
项文斌 .
中国专利 :CN113130696B ,2021-07-16
[5]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 ;
吴芳 .
中国专利 :CN117742017A ,2024-03-22
[6]
一种电吸收调制器 [P]. 
文博昱 ;
吴芳 .
中国专利 :CN221686772U ,2024-09-10
[7]
基于量子限制斯塔克效应和微腔的光开关及其制备方法 [P]. 
张家雨 ;
白春正 ;
项文斌 ;
陈伟敏 .
中国专利 :CN115793154B ,2025-12-19
[8]
深量子阱电吸收调制器 [P]. 
D·P·布尔 ;
A·坦顿 ;
M·R·T·谭 .
中国专利 :CN1909312A ,2007-02-07
[9]
基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法 [P]. 
张春福 ;
韩根全 ;
彭芮之 ;
郝跃 ;
张进城 ;
冯倩 .
中国专利 :CN105759468B ,2016-07-13
[10]
电吸收调制器 [P]. 
余国民 ;
A·J·齐尔基 .
英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07