一种锗硅电吸收调制器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111517323.4

申请日：

2021-12-13

公开(公告)号：

CN114355634B

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

孙嘉良刘雨菲蔡艳余明斌

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

G02F1/015

IPC分类号：

G02F1/025 G02F1/00

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

谢文凯

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种锗硅电吸收调制器及其制作方法 [P].

孙嘉良 ;

刘雨菲 ;

蔡艳 ;

余明斌 .

中国专利 :CN114355634A ,2022-04-15

[2]

锗硅电吸收调制器 [P].

李亚明 ;

成步文 .

中国专利 :CN105474078A ,2016-04-06

[3]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

英国专利 :CN112204459B ,2025-02-07

[4]

电吸收调制器 [P].

余国民 ;

A·J·齐尔基 .

中国专利 :CN112204459A ,2021-01-08

[5]

高速电吸收调制器的制作方法 [P].

胡小华 ;

王宝军 ;

王圩 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1258843C ,2004-10-13

[6]

一种基于锗硅电吸收调制器的硅光收发模块 [P].

孙嘉良 ;

刘雨菲 ;

蔡艳 ;

余明斌 .

中国专利 :CN113376772A ,2021-09-10

[7]

一种具有锗调制层的电吸收调制器及其成型方法 [P].

李志华 ;

尹旺旺 .

中国专利 :CN116449586B ,2025-06-13

[8]

一种硅基电吸收调制器及其制备方法 [P].

刘智 ;

成步文 ;

薛春来 .

中国专利 :CN108828797B ,2018-11-16

[9]

相位调制器及其制作方法、硅基电光调制器 [P].

王志仁 ;

周林杰 ;

周砚扬 ;

刘磊 .

中国专利 :CN111051969A ,2020-04-21

[10]

硅基行波电极调制器及其制作方法 [P].

闫冬冬 ;

李显尧 .

中国专利 :CN113934025A ,2022-01-14

← 1 2 3 4 5 →