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掺杂型胶体金属氧化物量子线及其制备方法、气体传感器和气体传感器阵列及应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310214056.6
申请日
:
2023-03-06
公开(公告)号
:
CN116177588B
公开(公告)日
:
2024-03-12
发明(设计)人
:
宋志龙
颜佳
许晖
李华明
申请人
:
江苏大学
申请人地址
:
212013 江苏省镇江市学府路301号
IPC主分类号
:
C01G1/02
IPC分类号
:
G01N27/12
C01G19/02
B82Y30/00
B82Y40/00
代理机构
:
北京高沃律师事务所 11569
代理人
:
王立普
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 镇江市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-12
授权
授权
共 50 条
[1]
金属氧化物气体传感器
[P].
左国民
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左国民
;
高适
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高适
;
张顺平
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张顺平
;
王学峰
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王学峰
;
李丹萍
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李丹萍
;
张立功
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张立功
;
王宁
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王宁
;
周建梅
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周建梅
;
鲁胜利
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鲁胜利
.
中国专利
:CN208109742U
,2018-11-16
[2]
氧化铝掺杂的金属氧化物气体传感器
[P].
桑吉布·特里帕蒂
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桑吉布·特里帕蒂
;
沃尔弗拉姆·西门丁格
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沃尔弗拉姆·西门丁格
.
中国专利
:CN111656172A
,2020-09-11
[3]
气体传感器阵列及气体传感器芯片
[P].
李志强
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机构:
无锡光子芯片联合研究中心
无锡光子芯片联合研究中心
李志强
;
鲜济遥
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无锡光子芯片联合研究中心
无锡光子芯片联合研究中心
鲜济遥
;
欧阳纯方
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无锡光子芯片联合研究中心
无锡光子芯片联合研究中心
欧阳纯方
;
金贤敏
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机构:
无锡光子芯片联合研究中心
无锡光子芯片联合研究中心
金贤敏
;
魏志猛
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机构:
无锡光子芯片联合研究中心
无锡光子芯片联合研究中心
魏志猛
.
中国专利
:CN120142387A
,2025-06-13
[4]
一种金属氧化物及其制备方法、气体传感器
[P].
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机构:
钱立军
;
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机构:
张宸维
.
中国专利
:CN118877838A
,2024-11-01
[5]
一种金属氧化物及其制备方法、气体传感器
[P].
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机构:
钱立军
;
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机构:
张宸维
.
中国专利
:CN118877838B
,2024-12-13
[6]
氧化物半导体气体传感器阵列、制备方法、电子鼻及应用
[P].
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机构:
刘欢
;
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机构:
李龙
;
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机构:
李华曜
;
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机构:
胡志响
;
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机构:
唐江
.
中国专利
:CN119086658B
,2025-09-12
[7]
氧化物半导体气体传感器阵列、制备方法、电子鼻及应用
[P].
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机构:
刘欢
;
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机构:
李龙
;
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机构:
李华曜
;
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机构:
胡志响
;
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机构:
唐江
.
中国专利
:CN119086658A
,2024-12-06
[8]
金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法
[P].
张克栋
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张克栋
;
顾唯兵
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顾唯兵
;
王玲
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王玲
;
崔铮
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崔铮
.
中国专利
:CN104569061B
,2015-04-29
[9]
金属氧化物半导体气体传感器
[P].
孟小华
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孟小华
.
中国专利
:CN215768361U
,2022-02-08
[10]
金属氧化物半导体气体传感器
[P].
石仓友和
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
石仓友和
;
藤田一孝
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
藤田一孝
;
政冈雷太郎
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机构:
TDK株式会社
TDK株式会社
政冈雷太郎
.
日本专利
:CN120239817A
,2025-07-01
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