氧化物半导体气体传感器阵列、制备方法、电子鼻及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411285645.4

申请日：

2024-09-13

公开(公告)号：

CN119086658A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

刘欢李龙李华曜胡志响唐江

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

代理机构：

武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267

代理人：

张彩锦

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	授权	授权
2024-12-06	公开	公开
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/12申请日:20240913

共 50 条

[1]

氧化物半导体气体传感器阵列、制备方法、电子鼻及应用 [P].

刘欢 ;

李龙 ;

李华曜 ;

胡志响 ;

唐江 .

中国专利 :CN119086658B ,2025-09-12

[2]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[3]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[4]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[5]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

[6]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[7]

一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用 [P].

仝召民 ;

舒宏伟 ;

牛峰 .

中国专利 :CN114354724A ,2022-04-15

[8]

金属氧化物半导体多孔薄膜及其制备方法与气体传感器 [P].

李文华 ;

徐强 .

中国专利 :CN115201281B ,2025-07-18

[9]

一种分级多孔结构金属氧化物的制作方法及金属氧化物半导体气体传感器 [P].

闫岩 ;

杨贵钦 ;

张猛 .

中国专利 :CN110907503A ,2020-03-24

[10]

一种金属氧化物半导体纤维气体传感器、其制备方法及其应用 [P].

仝召民 ;

曹志飞 .

中国专利 :CN119555758A ,2025-03-04

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