一种双极器件低剂量率辐射损伤增强效应的甄别方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410174143.8

申请日：

2024-02-07

公开(公告)号：

CN118091357A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

马武英欧阳晓平缑石龙薛院院何宝平

申请人：

西北核技术研究所

申请人地址：

710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号

IPC主分类号：

G01R31/265

IPC分类号：

G01R31/26

代理机构：

西安智邦专利商标代理有限公司 61211

代理人：

康进兴

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	公开	公开
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/265申请日:20240207

共 50 条

[21]

一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置 [P].

张莹 ;

侯世尧 ;

宋宇 ;

周航 ;

罗佳 ;

代刚 .

中国专利 :CN107885253A ,2018-04-06

[22]

一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置 [P].

张莹 ;

侯世尧 ;

宋宇 ;

周航 ;

罗佳 ;

代刚 .

中国专利 :CN207895330U ,2018-09-21

[23]

一种用于半导体器件剂量率效应实验的精密控温装置 [P].

张莹 ;

侯世尧 ;

宋宇 ;

周航 ;

罗佳 ;

代刚 .

中国专利 :CN107885253B ,2024-05-03

[24]

一种强辐射场的辐照剂量率测量系统和方法 [P].

徐守龙 ;

韩永超 ;

邹树梁 ;

吴其反 ;

邓骞 ;

徐玲 .

中国专利 :CN111366967A ,2020-07-03

[25]

一种降低剂量率的CPR1000核电厂硼回收系统 [P].

张士朋 ;

周富涛 ;

李琪 ;

张文利 ;

蒲江 ;

那福利 ;

贺群武 ;

陈秋炀 ;

杨腊腊 .

中国专利 :CN107068223B ,2017-08-18

[26]

一种同批次商用VDMOS器件的总剂量辐射效应预估方法 [P].

崔江维 ;

郑齐文 ;

李小龙 ;

李豫东 ;

郭旗 .

中国专利 :CN118244076A ,2024-06-25

[27]

一种微处理器瞬时剂量率闩锁效应的测试方法及测试系统 [P].

池雅庆 ;

梁斌 ;

陈建军 ;

郭阳 ;

袁珩洲 ;

刘必慰 ;

宋睿强 ;

吴振宇 .

中国专利 :CN111639001A ,2020-09-08

[28]

一种基于纳米天线增强效应的近场光学器件及其制作方法 [P].

李闰虎 ;

张雪峰 ;

胡鑫 ;

张鉴 ;

刘先国 .

中国专利 :CN114778474A ,2022-07-22

[29]

一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构 [P].

于成浩 ;

王颖 ;

郭浩民 ;

包梦恬 ;

张立龙 .

中国专利 :CN114613843A ,2022-06-10

[30]

一种基于带边增强效应的薄膜电致倍频器件 [P].

陈书湄 ;

周宏亮 ;

许洪杰 .

中国专利 :CN119689763A ,2025-03-25

← 1 2 3 4 5 →