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一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010947095.3
申请日
:
2020-09-10
公开(公告)号
:
CN112062085B
公开(公告)日
:
2024-02-23
发明(设计)人
:
郭西
郁发新
冯光建
黄雷
高群
顾毛毛
申请人
:
浙江集迈科微电子有限公司
申请人地址
:
313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
IPC主分类号
:
B81C1/00
IPC分类号
:
H01L21/768
代理机构
:
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
:
曹祖良
法律状态
:
授权
国省代码
:
浙江省
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-23
授权
授权
共 50 条
[1]
一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺
[P].
郭西
论文数:
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郭西
;
郁发新
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郁发新
;
冯光建
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冯光建
;
黄雷
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黄雷
;
高群
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高群
;
顾毛毛
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顾毛毛
.
中国专利
:CN112062085A
,2020-12-11
[2]
一种传输线及制作工艺
[P].
朱寿平
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朱寿平
;
肖国良
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肖国良
;
杨长春
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杨长春
;
钟先梁
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钟先梁
.
中国专利
:CN112927842A
,2021-06-08
[3]
一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺
[P].
陈一峰
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0
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陈一峰
.
中国专利
:CN107946183A
,2018-04-20
[4]
一种光刻胶涂布方法及半导体前段制作工艺
[P].
邱翔
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机构:
广州增芯科技有限公司
广州增芯科技有限公司
邱翔
.
中国专利
:CN118151494A
,2024-06-07
[5]
一种射频传输线及其制作工艺
[P].
翟后明
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机构:
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
翟后明
;
罗唐海
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机构:
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
罗唐海
;
黄参
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机构:
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
黄参
;
刘攀
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机构:
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
刘攀
;
张文宇
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机构:
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
张文宇
.
中国专利
:CN118572339A
,2024-08-30
[6]
双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺
[P].
杨林宏
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杨林宏
;
靳颖
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靳颖
;
吴军
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吴军
;
徐亮
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徐亮
.
中国专利
:CN101924029A
,2010-12-22
[7]
一种光刻胶及其光刻工艺
[P].
王国秋
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王国秋
;
黄坚
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黄坚
;
陈璀
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陈璀
.
中国专利
:CN111983890A
,2020-11-24
[8]
一种光刻胶及其光刻工艺
[P].
王国秋
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机构:
湖南启泰传感科技有限公司
湖南启泰传感科技有限公司
王国秋
;
黄坚
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机构:
湖南启泰传感科技有限公司
湖南启泰传感科技有限公司
黄坚
;
陈璀
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机构:
湖南启泰传感科技有限公司
湖南启泰传感科技有限公司
陈璀
.
中国专利
:CN111983890B
,2024-03-22
[9]
双排线架式的信号传输线制作工艺
[P].
姚天金
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姚天金
.
中国专利
:CN102176603B
,2011-09-07
[10]
一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺
[P].
刘前
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刘前
.
中国专利
:CN103809376A
,2014-05-21
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