一种光刻胶涂布方法及半导体前段制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410388327.4

申请日：

2024-04-01

公开(公告)号：

CN118151494A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

邱翔

申请人：

广州增芯科技有限公司

申请人地址：

511300 广东省广州市增城区宁西街创优路333号

IPC主分类号：

G03F7/16

IPC分类号：

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

邵晓丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/16申请日:20240401

共 50 条

[1]

光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法 [P].

崔栽荣 ;

丁明正 ;

贺晓彬 ;

刘强 ;

王桂磊 ;

白国斌 .

中国专利 :CN114690564A ,2022-07-01

[2]

光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法 [P].

金在植 ;

张成根 ;

林锺吉 ;

贺晓彬 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114054287A ,2022-02-18

[3]

光刻胶涂布装置及涂布方法 [P].

王进钦 ;

田龙 ;

方震宇 .

中国专利 :CN119087746A ,2024-12-06

[4]

光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法 [P].

刘新 ;

李宗怿 ;

潘波 ;

朱贞颖 ;

江斐 ;

谢程阳 ;

王天玉 ;

张诺琦 .

中国专利 :CN121165397A ,2025-12-19

[5]

一种光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法 [P].

张智勇 ;

李佳珍 ;

叶正豪 .

中国专利 :CN120306209A ,2025-07-15

[6]

一种光刻胶涂布方法 [P].

张仁伟 ;

张祥平 .

中国专利 :CN121165399A ,2025-12-19

[7]

一种半导体晶圆光刻胶涂布装置 [P].

由振琪 .

中国专利 :CN215918024U ,2022-03-01

[8]

光刻胶去除工艺及半导体制造工艺 [P].

于良成 ;

惠利省 ;

杨国文 .

中国专利 :CN114823297A ,2022-07-29

[9]

一种光刻胶涂布设备及涂布方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110874018A ,2020-03-10

[10]

光刻胶去除方法及半导体器件制作方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN105824202B ,2016-08-03

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