一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711184640.2

申请日：

2017-11-23

公开(公告)号：

CN107946183A

公开(公告)日：

2018-04-20

发明(设计)人：

陈一峰

申请人：

申请人地址：

610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L213065 H01L21311 H01L213213

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

徐丰;张巨箭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20171123
2018-04-20	公开	公开
2020-05-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/027 申请公布日:20180420

共 50 条

[1]

一种MMIC芯片及其背面划片道制作工艺 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN107946274A ,2018-04-20

[2]

一种划片道制作工艺 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN108010837B ,2018-05-08

[3]

一种光刻胶背面曝光工艺 [P].

廖广兰 ;

谭先华 ;

史铁林 ;

刘文亮 ;

高阳 .

中国专利 :CN102566313A ,2012-07-11

[4]

制作光刻胶图案的工艺 [P].

林进祥 ;

陆晓慈 ;

陈桂顺 ;

张庆裕 ;

张尚文 .

中国专利 :CN101174087A ,2008-05-07

[5]

一种光刻胶涂布方法及半导体前段制作工艺 [P].

邱翔 .

中国专利 :CN118151494A ,2024-06-07

[6]

双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺 [P].

杨林宏 ;

靳颖 ;

吴军 ;

徐亮 .

中国专利 :CN101924029A ,2010-12-22

[7]

一种基于正性光刻胶的光刻方法 [P].

伊翔 ;

邹丽丽 ;

陈龙胜 .

中国专利 :CN112433444A ,2021-03-02

[8]

STI的制作工艺、沟槽的刻蚀方法和光刻胶的处理方法 [P].

熊磊 ;

奚裴 .

中国专利 :CN103021925A ,2013-04-03

[9]

一种无机相变光刻胶和基于无机相变光刻胶的光刻工艺 [P].

刘前 .

中国专利 :CN103809376A ,2014-05-21

[10]

一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺 [P].

郭西 ;

郁发新 ;

冯光建 ;

黄雷 ;

高群 ;

顾毛毛 .

中国专利 :CN112062085B ,2024-02-23

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