一种具备空穴供给结构的深紫外发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311703762.3

申请日：

2023-12-11

公开(公告)号：

CN117637950A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

张骏陈圣昌单茂诚张毅岳金顺

申请人：

武汉优炜芯科技有限公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路20号2#楼3层302-4号

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/02 H01L33/32

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

张杰

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

具备复合阻挡结构的深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

陈圣昌 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN117352617A ,2024-01-05

[2]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115548184A ,2022-12-30

[3]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[4]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

[5]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

卓昌正 ;

张毅 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120129371A ,2025-06-10

[6]

一种实现空穴加速的深紫外发光二极管器件结构及制备方法 [P].

刘超 ;

田文韬 .

中国专利 :CN117410411A ,2024-01-16

[7]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[8]

具备复合阻挡结构的深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

张骏 ;

陈圣昌 ;

单茂诚 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN117594720A ,2024-02-23

[9]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

陈圣昌 ;

单茂诚 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN117878204A ,2024-04-12

[10]

一种深紫外发光二极管 [P].

江宾 ;

林素慧 ;

黄敏 ;

彭康伟 ;

曾明俊 ;

曾炜竣 .

中国专利 :CN113451472B ,2021-09-28

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