深紫外发光二极管器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410070664.9

申请日：

2024-01-17

公开(公告)号：

CN117995957A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

张爽罗红波李红霞郑志强张顺张会雪

申请人：

湖北深紫科技有限公司

申请人地址：

436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特1号华中科技大学鄂州工业技术研究院大楼S209室

IPC主分类号：

H01L33/10

IPC分类号：

H01L33/00

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

吴璟

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省鄂州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-07	公开	公开
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/10申请日:20240117

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[2]

深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P].

张爽 ;

张顺 ;

李红霞 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117438517A ,2024-01-23

[3]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[4]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[5]

垂直型深紫外发光二极管 [P].

张爽 ;

陈景文 ;

王永忠 .

中国专利 :CN117393679A ,2024-01-12

[6]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[7]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115548184A ,2022-12-30

[8]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[9]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[10]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

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