垂直型深紫外发光二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311529964.0
申请日
2023-11-14
公开(公告)号
CN117393679A
公开(公告)日
2024-01-12
发明(设计)人
张爽 陈景文 王永忠
申请人
湖北深紫科技有限公司
申请人地址
436000 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特1号华中科技大学鄂州工业技术研究院大楼S209室
IPC主分类号
H01L33/44
IPC分类号
H01L33/58 H01L33/20 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/10
代理机构
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231
代理人
姜婷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
湖北省 鄂州市
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共 50 条
[1]
深紫外发光二极管器件 [P]. 
张爽 ;
罗红波 ;
李红霞 ;
郑志强 ;
张顺 ;
张会雪 .
中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07
[2]
深紫外发光二极管 [P]. 
毕京锋 ;
郭茂峰 ;
李士涛 ;
张学双 ;
赵进超 .
中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12
[3]
深紫外发光二极管 [P]. 
张毅 ;
卓昌正 ;
张骏 ;
陈长清 ;
戴江南 .
中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24
[4]
深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P]. 
张爽 ;
张顺 ;
李红霞 ;
张会雪 .
中国专利 :CN117438517A ,2024-01-23
[5]
深紫外发光二极管 [P]. 
R·格斯卡 ;
M·S·沙特洛娃 ;
M·舒尔 .
中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10
[6]
深紫外发光二极管 [P]. 
R·格斯卡 ;
M·S·沙特洛娃 ;
M·舒尔 .
中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18
[7]
深紫外发光二极管 [P]. 
郑锦坚 ;
毕京锋 ;
高默然 ;
范伟宏 ;
曾家明 ;
张成军 .
中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10
[8]
深紫外发光二极管器件 [P]. 
张爽 ;
戴江南 ;
陈长清 .
中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14
[9]
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P]. 
程龙 ;
郑文杰 ;
高虹 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17
[10]
一种垂直型深紫外发光二极管 [P]. 
刘青松 ;
卢蕊 .
中国专利 :CN118800857A ,2024-10-18