深紫外发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610127836.7

申请日：

2011-06-17

公开(公告)号：

CN105590999A

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

R·格斯卡 M·S·沙特洛娃 M·舒尔

申请人：

申请人地址：

美国南卡罗来纳

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3306 H01L3310 H01L3332 H01L3322 H01L3338 H01L3340

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈华成

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	公开	公开
2018-07-10	授权	授权
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665081710 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2016101278367 申请日:20110617

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[2]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[3]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[4]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[5]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[6]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

[7]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[9]

垂直型深紫外发光二极管 [P].

张爽 ;

陈景文 ;

王永忠 .

中国专利 :CN117393679A ,2024-01-12

[10]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

卓昌正 ;

张毅 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120129371A ,2025-06-10

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