深紫外发光二极管器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420994314.7

申请日：

2024-05-09

公开(公告)号：

CN222621533U

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

张爽戴江南陈长清

申请人：

苏州优炜芯科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区30幢1706室

IPC主分类号：

H10H20/831

IPC分类号：

H10H20/819

代理机构：

武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231

代理人：

张杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	授权	授权

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

[2]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[3]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[4]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[5]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[6]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[7]

一种深紫外发光二极管 [P].

李云霞 .

中国专利 :CN215266358U ,2021-12-21

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[9]

深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P].

张爽 ;

张顺 ;

李红霞 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117438517A ,2024-01-23

[10]

垂直型深紫外发光二极管 [P].

张爽 ;

陈景文 ;

王永忠 .

中国专利 :CN117393679A ,2024-01-12

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