一种垂直型深紫外发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410925270.7

申请日：

2024-07-11

公开(公告)号：

CN118800857A

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

刘青松卢蕊

申请人：

刘青松

申请人地址：

250000 山东省济南市槐荫区张庄路街道蓝天家园3号楼401室

IPC主分类号：

H01L33/58

IPC分类号：

H01L33/60 H01L33/48 H01L25/075

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/58申请日:20240711
2024-10-18	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直型深紫外发光二极管 [P].

张爽 ;

陈景文 ;

王永忠 .

中国专利 :CN117393679A ,2024-01-12

[2]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[3]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[4]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[5]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[6]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[7]

一种垂直结构深紫外发光二极管 [P].

崔志勇 ;

尉尊康 ;

李勇强 ;

郭凯 ;

薛建凯 ;

张向鹏 ;

张晓娜 ;

王雪 .

中国专利 :CN215184030U ,2021-12-14

[8]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[9]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

[10]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

卓昌正 ;

张毅 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120129371A ,2025-06-10

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