一种深紫外发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110727159.3

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN113451472B

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

江宾林素慧黄敏彭康伟曾明俊曾炜竣

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3320

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/36 申请日:20210629
2021-09-28	公开	公开
2023-01-13	授权	授权

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[2]

一种深紫外发光二极管及其发光装置 [P].

江宾 ;

林素慧 ;

彭康伟 ;

臧雅姝 ;

曾明俊 ;

曾炜竣 ;

陈思河 .

中国专利 :CN113451493B ,2021-09-28

[3]

一种深紫外发光二极管 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115548184A ,2022-12-30

[4]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[5]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[6]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[7]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[8]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[9]

一种倒装深紫外发光二极管 [P].

朱秀山 ;

臧雅姝 ;

彭康伟 ;

林素慧 .

中国专利 :CN211789075U ,2020-10-27

[10]

一种深紫外发光二极管 [P].

王晓东 ;

段瑞飞 ;

王军喜 ;

曾一平 ;

付强 .

中国专利 :CN207993888U ,2018-10-19

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