一种深紫外发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721870609.X

申请日：

2017-12-28

公开(公告)号：

CN207993888U

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

王晓东段瑞飞王军喜曾一平付强

申请人：

申请人地址：

100176 北京市经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

胡剑辉

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-19	授权	授权
2019-03-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/20 登记生效日:20190202 变更事项:专利权人变更前权利人:北京中科优唯科技有限公司变更后权利人:山西中科潞安紫外光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100176 北京市经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室变更后权利人:046000 山西省长治市长治高新区漳泽新型工业园区

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[2]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN103038900A ,2013-04-10

[3]

深紫外发光二极管 [P].

R·格斯卡 ;

M·S·沙特洛娃 ;

M·舒尔 .

中国专利 :CN105590999A ,2016-05-18

[4]

深紫外发光二极管 [P].

毕京锋 ;

郭茂峰 ;

李士涛 ;

张学双 ;

赵进超 .

中国专利 :CN216288494U ,2022-04-12

[5]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[6]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

[7]

一种深紫外发光二极管 [P].

李云霞 .

中国专利 :CN215266358U ,2021-12-21

[8]

一种深紫外发光二极管 [P].

吴志浩 ;

方妍妍 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN203596360U ,2014-05-14

[9]

一种深紫外发光二极管 [P].

江宾 ;

林素慧 ;

黄敏 ;

彭康伟 ;

曾明俊 ;

曾炜竣 .

中国专利 :CN113451472B ,2021-09-28

[10]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

← 1 2 3 4 5 →