沟槽型MOS器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111103005.3

申请日：

2021-09-17

公开(公告)号：

CN113903668B

公开(公告)日：

2024-04-23

发明(设计)人：

贾金兰刘华明刘川

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/28 H01L29/423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

罗雅文

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-23	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

贾金兰 ;

刘华明 ;

刘川 .

中国专利 :CN113903668A ,2022-01-07

[2]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

钱佳成 ;

冯超 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN113628972A ,2021-11-09

[3]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

钱佳成 ;

冯超 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN113628972B ,2024-06-18

[4]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

崔艳雷 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

余鹏 ;

孙建 ;

陆浩杰 ;

齐笑 .

中国专利 :CN118471813A ,2024-08-09

[5]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

黄浩 ;

赵鑫栋 ;

徐进 ;

张蕾 ;

王文强 ;

杨继业 .

中国专利 :CN120500095A ,2025-08-15

[6]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[7]

SiC沟槽MOS器件及其制作方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109411546A ,2019-03-01

[8]

沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

姚一平 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN113889407A ,2022-01-04

[9]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[10]

MOS器件的制作方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN115172170B ,2025-10-28

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