沟槽型MOS器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510565219.4

申请日：

2025-04-29

公开(公告)号：

CN120500095A

公开(公告)日：

2025-08-15

发明(设计)人：

黄浩赵鑫栋徐进张蕾王文强杨继业

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	公开	公开
2025-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250429

共 50 条

[1]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

贾金兰 ;

刘华明 ;

刘川 .

中国专利 :CN113903668B ,2024-04-23

[2]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

钱佳成 ;

冯超 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN113628972A ,2021-11-09

[3]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

崔艳雷 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

余鹏 ;

孙建 ;

陆浩杰 ;

齐笑 .

中国专利 :CN118471813A ,2024-08-09

[4]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

钱佳成 ;

冯超 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN113628972B ,2024-06-18

[5]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

贾金兰 ;

刘华明 ;

刘川 .

中国专利 :CN113903668A ,2022-01-07

[6]

SiC沟槽MOS器件及其制作方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109411546A ,2019-03-01

[7]

沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

姚一平 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN113889407A ,2022-01-04

[8]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[9]

MOS器件的制作方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN115172170B ,2025-10-28

[10]

沟槽型功率器件制作方法和沟槽型功率器件 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105225957B ,2016-01-06

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