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バイポーラトランジスタ及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20070545293
申请日
:
2006-11-16
公开(公告)号
:
JPWO2007058265A1
公开(公告)日
:
2009-05-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/737
IPC分类号
:
H01L21/331
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
インターポーザー用基板及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014087877A1
,2017-01-05
[2]
電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5695246B1
,2015-04-01
[3]
高周波トランス用磁心、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6478160B2
,2019-03-06
[4]
高周波トランス用磁心、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015122527A1
,2017-03-30
[5]
GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006022453A1
,2008-05-08
[6]
高周波デバイス用電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびに高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6295802B2
,2018-03-20
[7]
ガラスクロス及びその製造方法[ja]
[P].
ITOKAWA HAJIME
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
ITOKAWA HAJIME
.
日本专利
:JP2024150149A
,2024-10-23
[8]
セラミックヒーター及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022552776A
,2022-12-20
[9]
セラミックヒーター及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022553605A
,2022-12-26
[10]
圧電トランスデューサの製造方法及び圧電トランスデューサ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024508285A
,2024-02-26
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