薄膜トランジスタ基板及びその製造方法[ja]

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申请号
JP20160517803
申请日
2015-04-17
公开(公告)号
JPWO2015170450A1
公开(公告)日
2017-04-20
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[3]
薄膜トランジスタ基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018185967A1 ,2019-06-27
[4]
薄膜トランジスタ基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011148537A1 ,2013-07-25
[5]
薄膜トランジスタの基板及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018537861A ,2018-12-20
[6]
薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
TANAKA ATSUSHI ;
TAKECHI KAZUE .
日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08
[7]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025534437A ,2025-10-15
[8]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010047077A1 ,2012-03-22
[9]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010044332A1 ,2012-03-15
[10]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015068319A1 ,2017-03-09