薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板[ja]

被引：0

申请号：

JP20150533940

申请日：

2014-05-20

公开(公告)号：

JPWO2015029286A1

公开(公告)日：

2017-03-02

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/28 H01L21/336 H01L21/768 H01L23/522 H01L29/417

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共 50 条

[1]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015087466A1 ,2017-03-16

[2]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

TANAKA ATSUSHI ;

TAKECHI KAZUE .

日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08

[3]

薄膜トランジスタ基板及び製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012096154A1 ,2014-06-09

[4]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[5]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[6]

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013141197A1 ,2015-08-03

[7]

薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010106920A1 ,2012-09-20

[8]

薄膜トランジスタ基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017073097A1 ,2018-02-08

[9]

薄膜トランジスタ基板[ja] [P].

TAKECHI KAZUE .

日本专利 :JP2024077347A ,2024-06-07

[10]

薄膜トランジスタ基板、薄膜トランジスタ基板の製造方法、及び、表示パネル[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016056204A1 ,2017-07-13

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