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薄膜トランジスタ基板[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220189394
申请日
:
2022-11-28
公开(公告)号
:
JP2024077347A
公开(公告)日
:
2024-06-07
发明(设计)人
:
TAKECHI KAZUE
申请人
:
XIAMEN TIANMA TECH CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
G09F9/30
H01L21/8234
H01L27/088
H10K50/00
H10K59/10
H10K59/12
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
薄膜トランジスタ基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017073097A1
,2018-02-08
[2]
薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015087466A1
,2017-03-16
[3]
薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015029286A1
,2017-03-02
[4]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108301A1
,2015-05-11
[5]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009034953A1
,2010-12-24
[6]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019106896A1
,2020-11-19
[7]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013108300A1
,2015-05-11
[8]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011151990A1
,2013-07-25
[9]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011039853A1
,2013-02-21
[10]
薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013021632A1
,2015-03-05
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