薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20250519522
申请日
2023-10-12
公开(公告)号
JP2025534437A
公开(公告)日
2025-10-15
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10D30/67
IPC分类号
H10D30/01 H10D64/62
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010047077A1 ,2012-03-22
[2]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010044332A1 ,2012-03-15
[3]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015068319A1 ,2017-03-09
[4]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019087784A1 ,2019-11-14
[5]
[6]
[8]
薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
TANAKA ATSUSHI ;
TAKECHI KAZUE .
日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08
[10]
薄膜トランジスタ構造及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020523787A ,2020-08-06