薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20190509580
申请日
2018-10-17
公开(公告)号
JPWO2019087784A1
公开(公告)日
2019-11-14
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
H01L21/316 H01L21/336
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025534437A ,2025-10-15
[2]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010047077A1 ,2012-03-22
[3]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010044332A1 ,2012-03-15
[4]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015068319A1 ,2017-03-09
[5]
[6]
[8]
薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P]. 
TANAKA ATSUSHI ;
TAKECHI KAZUE .
日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08
[10]
薄膜トランジスタ構造及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020523787A ,2020-08-06