トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20110501508

申请日：

2010-02-25

公开(公告)号：

JPWO2010098101A1

公开(公告)日：

2012-08-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/336

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法律状态信息

共 50 条

[1]

トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010098100A1 ,2012-08-30

[2]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[3]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[4]

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013141197A1 ,2015-08-03

[5]

薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010106920A1 ,2012-09-20

[6]

トランジスタ及びトランジスタの作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022109267A ,2022-07-27

[7]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

TANAKA ATSUSHI ;

TAKECHI KAZUE .

日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08

[8]

薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025534437A ,2025-10-15

[9]

薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047077A1 ,2012-03-22

[10]

薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010044332A1 ,2012-03-15

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