半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810089862.0

申请日：

2008-04-03

公开(公告)号：

CN101335240B

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

金大植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218242 H01L21768 H01L27088 H01L27108 H01L23522

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

刘继富;顾晋伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	公开	公开
2015-05-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101610750095 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL2008100898620 申请日:20080403 授权公告日:20101013 终止日期:20140403
2010-10-13	授权	授权
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102074479A ,2011-05-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

渡部浩 ;

成毛清美 ;

增田和纪 .

中国专利 :CN1354522A ,2002-06-19

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN103247623B ,2013-08-14

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN101290936A ,2008-10-22

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

奥村喜纪 ;

上野修一 ;

古田阳雄 .

中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

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