成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310354099.0

申请日：

2013-08-14

公开(公告)号：

CN104377123B

公开(公告)日：

2015-02-25

发明(设计)人：

李琳松

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

高月红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	授权	授权
2015-02-25	公开	公开
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602526426 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2013103540990 申请日:20130814

共 50 条

[1]

成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法 [P].

成鑫华 ;

李琳松 ;

肖胜安 ;

孙勤 ;

孙娟 ;

袁苑 .

中国专利 :CN103035498A ,2013-04-10

[2]

低应力IGBT沟槽型栅极的成长方法 [P].

李琳松 .

中国专利 :CN103050389A ,2013-04-17

[3]

成长低应力绝缘栅双极型晶体管沟槽型栅极的方法 [P].

成鑫华 ;

李琳松 ;

肖胜安 ;

孙勤 .

中国专利 :CN103035499A ,2013-04-10

[4]

IGBT沟槽型栅极的制造方法 [P].

成鑫华 ;

李琳松 ;

肖胜安 ;

孙勤 ;

孙娟 ;

袁苑 .

中国专利 :CN103050388A ,2013-04-17

[5]

IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 ;

李琳松 .

中国专利 :CN103035502A ,2013-04-10

[6]

低米勒电容的沟槽型IGBT器件 [P].

陈钱 ;

张大华 ;

刘豫蒙 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN119451146A ,2025-02-14

[7]

改善沟槽型IGBT 栅极击穿能力的制备方法 [P].

迟延庆 .

中国专利 :CN103578967A ,2014-02-12

[8]

沟槽型IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

管佳宁 ;

李迪 ;

刘嘉 ;

覃荣震 ;

肖强 .

中国专利 :CN120224769A ,2025-06-27

[9]

一种沟槽式IGBT栅极的制作方法 [P].

孙小虎 ;

杜龙欢 ;

罗湘 ;

唐云 .

中国专利 :CN105655246A ,2016-06-08

[10]

一种沟槽式栅极IGBT结构 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

杨玉珍 ;

张永利 ;

刘文 .

中国专利 :CN215731729U ,2022-02-01

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