改善沟槽型IGBT 栅极击穿能力的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210249970.6

申请日：

2012-07-19

公开(公告)号：

CN103578967A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

迟延庆

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

高月红

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140117 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691908605 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2012102499706
2014-02-12	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578335028 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2012102499706 申请日:20120719
2017-03-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747739428 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2012102499706 申请公布日:20140212

共 50 条

[1]

IE型沟槽栅极IGBT [P].

松浦仁 .

中国专利 :CN103199108B ,2013-07-10

[2]

IE型沟槽栅极IGBT [P].

松浦仁 .

中国专利 :CN203250742U ,2013-10-23

[3]

IE型沟槽栅极IGBT [P].

松浦仁 .

中国专利 :CN107731896A ,2018-02-23

[4]

沟槽栅极型IGBT及其驱动方法 [P].

冈田哲也 ;

仲敏行 .

中国专利 :CN120166722A ,2025-06-17

[5]

沟槽型IGBT的制备方法 [P].

吴多武 ;

可瑞思 .

中国专利 :CN104201103A ,2014-12-10

[6]

成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法 [P].

李琳松 .

中国专利 :CN104377123B ,2015-02-25

[7]

沟槽型IGBT及制备方法 [P].

吴多武 ;

可瑞思 .

中国专利 :CN104241126B ,2014-12-24

[8]

实现少子存储层沟槽型IGBT的工艺方法 [P].

迟延庆 .

中国专利 :CN103035521A ,2013-04-10

[9]

沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法 [P].

丛茂杰 .

中国专利 :CN106252218A ,2016-12-21

[10]

降低沟槽型IGBT栅集电容并提高其击穿电压的方法 [P].

步建康 ;

徐朝军 ;

李士垚 .

中国专利 :CN106684129A ,2017-05-17

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