沟槽型IGBT及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410476079.5

申请日：

2014-09-17

公开(公告)号：

CN104241126B

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

吴多武可瑞思

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L21265 H01L29739 H01L2906

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

吴俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595676376 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2014104760795 申请日:20140917
2014-12-24	公开	公开
2017-10-31	授权	授权
2019-02-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/331 变更事项:专利权人变更前:中航（重庆）微电子有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
2019-03-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/331 变更事项:专利权人变更前:华润微电子（重庆）有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

共 50 条

[1]

沟槽型IGBT的制备方法 [P].

吴多武 ;

可瑞思 .

中国专利 :CN104201103A ,2014-12-10

[2]

沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT [P].

赵浩宇 ;

曾丹 ;

赵家宽 ;

刘勇强 ;

史波 .

中国专利 :CN113394277B ,2021-09-14

[3]

沟槽栅碳化硅IGBT及其制备方法 [P].

李轩 ;

许士康 ;

杨正羽 ;

娄谦 ;

邓小川 ;

张波 .

中国专利 :CN118448448A ,2024-08-06

[4]

沟槽型IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

管佳宁 ;

李迪 ;

刘嘉 ;

覃荣震 ;

肖强 .

中国专利 :CN120224769A ,2025-06-27

[5]

一种沟槽栅型IGBT结构 [P].

金锐 ;

李立 ;

和峰 ;

赵哿 ;

王耀华 ;

刘江 ;

高明超 ;

吴军民 ;

潘艳 ;

白鹭 ;

李冠良 .

中国专利 :CN112652657A ,2021-04-13

[6]

一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法 [P].

李娜 ;

屈志军 .

中国专利 :CN121001367A ,2025-11-21

[7]

一种沟槽型IGBT及其制备方法 [P].

朱涛 ;

潘艳 ;

温家良 ;

金锐 ;

崔磊 ;

徐哲 ;

和峰 ;

赵哿 ;

王耀华 ;

刘江 .

中国专利 :CN108133891A ,2018-06-08

[8]

一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110459606A ,2019-11-15

[9]

一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110504260A ,2019-11-26

[10]

IE型沟槽栅极IGBT [P].

松浦仁 .

中国专利 :CN103199108B ,2013-07-10

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