一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910806851.8

申请日：

2019-08-29

公开(公告)号：

CN110459606A

公开(公告)日：

2019-11-15

发明(设计)人：

张金平赵阳罗君轶刘竞秀李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2906 H01L29739 H01L2128 H01L21331

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20190829
2019-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110504260A ,2019-11-26

[2]

一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

王康 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110518058A ,2019-11-29

[3]

一种横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

王康 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110459596B ,2019-11-15

[4]

一种具有自偏置PMOS的RET IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

王鹏蛟 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110504310A ,2019-11-26

[5]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

田丰境 ;

赵倩 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107731897A ,2018-02-23

[6]

一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110473905A ,2019-11-19

[7]

一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

兰逸飞 ;

黄云翔 ;

张波 .

中国专利 :CN115472675A ,2022-12-13

[8]

一种具有全沟槽结构的自偏置分裂绝缘栅双极型晶体管 [P].

张金平 ;

兰逸飞 ;

黄云翔 ;

张波 .

中国专利 :CN115472675B ,2025-10-03

[9]

一种具有自偏置分离栅结构IGBT [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110491937B ,2019-11-22

[10]

一种具有自偏置PMOS的分离栅CSTBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

涂元元 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838920A ,2021-12-24

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