一种具有自偏置PMOS的RET IGBT及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910806541.6

申请日：

2019-08-29

公开(公告)号：

CN110504310A

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

张金平王康王鹏蛟刘竞秀李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29167 H01L21265 H01L21331 H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	授权	授权
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20190829
2019-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110473905A ,2019-11-19

[2]

一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110504260A ,2019-11-26

[3]

一种具有自偏置PMOS的分离栅CSTBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

涂元元 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838920A ,2021-12-24

[4]

一种横向IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110473917A ,2019-11-19

[5]

一种具有自偏置PMOS的横向沟槽型IGBT及其制备方法 [P].

张金平 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110459606A ,2019-11-15

[6]

一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110600537B ,2019-12-20

[7]

一种具有自偏置分离栅结构IGBT [P].

张金平 ;

王康 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110491937B ,2019-11-22

[8]

一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

涂元元 ;

朱镕镕 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838916A ,2021-12-24

[9]

一种具有三栅结构的自钳位IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

黄云翔 ;

李小锋 ;

张波 .

中国专利 :CN115472673A ,2022-12-13

[10]

一种具有三栅结构的自钳位IGBT及其制作方法 [P].

张波 ;

黄云翔 ;

李小锋 ;

张金平 .

中国专利 :CN115472673B ,2025-11-28

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