一种横向IGBT及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910777572.3

申请日：

2019-08-22

公开(公告)号：

CN110473917A

公开(公告)日：

2019-11-19

发明(设计)人：

张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21331

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-29	授权	授权
2019-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20190822
2019-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

陈文梅 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105932055A ,2016-09-07

[2]

一种双向IGBT器件及其制作方法 [P].

张金平 ;

杨文韬 ;

单亚东 ;

顾鸿鸣 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN103794647A ,2014-05-14

[3]

一种具有自偏置PMOS的RET IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

王鹏蛟 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110504310A ,2019-11-26

[4]

一种IGBT及其制作方法 [P].

唐盛斌 ;

朱超群 ;

冯卫 ;

陈宇 ;

吴海平 ;

刘林 .

中国专利 :CN102034815B ,2011-04-27

[5]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

陈文梅 ;

黄孟意 ;

田丰境 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105870181B ,2016-08-17

[6]

一种平面栅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

张玉蒙 ;

田丰境 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105932050A ,2016-09-07

[7]

一种平面型碳化硅IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

汪婕 ;

吴鹏飞 ;

孙帅 ;

张波 .

中国专利 :CN118748199A ,2024-10-08

[8]

一种三维分离栅沟槽电荷存储型IGBT及其制作方法 [P].

张金平 ;

朱镕镕 ;

涂元元 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113838917A ,2021-12-24

[9]

一种沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法 [P].

张金平 ;

廖航 ;

刘玮琪 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN105679816B ,2016-06-15

[10]

IGBT器件及其制作方法 [P].

谈景飞 ;

朱阳军 ;

王波 ;

张文亮 ;

褚为利 .

中国专利 :CN103681817B ,2014-03-26

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