一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511200400.1

申请日：

2025-08-26

公开(公告)号：

CN121001367A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

李娜屈志军

申请人：

江苏索力德普半导体科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城36号楼

IPC主分类号：

H10D12/00

IPC分类号：

H10D12/01 H10D64/23 H10D62/13

代理机构：

无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376

代理人：

刘菊兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/00申请日:20250826
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种元胞结构制备方法、元胞结构及IGBT器件 [P].

李伟 ;

高苗苗 .

中国专利 :CN118737827B ,2024-11-22

[2]

一种元胞结构制备方法、元胞结构及IGBT器件 [P].

李伟 ;

高苗苗 .

中国专利 :CN118737827A ,2024-10-01

[3]

IGBT器件的元胞结构、IGBT器件及IGBT短路保护电路 [P].

贾鹏飞 ;

芮强 ;

李巍 .

中国专利 :CN115732494B ,2025-10-21

[4]

一种IGBT元胞结构、IGBT器件及其制备方法 [P].

高东岳 ;

叶枫叶 ;

张大华 ;

钱培华 .

中国专利 :CN119947143A ,2025-05-06

[5]

沟槽型IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

管佳宁 ;

李迪 ;

刘嘉 ;

覃荣震 ;

肖强 .

中国专利 :CN120224769A ,2025-06-27

[6]

沟槽型IGBT器件结构 [P].

周晓阳 ;

王亚哲 ;

朱贤龙 .

中国专利 :CN111261713B ,2020-06-09

[7]

沟槽型IGBT器件结构 [P].

朱贤龙 ;

闫鹏修 .

中国专利 :CN211480037U ,2020-09-11

[8]

沟槽型IGBT器件结构 [P].

刘军 ;

李博强 ;

朱贤龙 .

中国专利 :CN111261712A ,2020-06-09

[9]

沟槽型IGBT器件的制作方法、沟槽型IGBT器件 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

姚一平 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN113889407A ,2022-01-04

[10]

沟槽型IGBT器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN203871337U ,2014-10-08

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