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一种元胞结构制备方法、元胞结构及IGBT器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411231334.X
申请日：
2024-09-04
公开(公告)号：
CN118737827A
公开(公告)日：
2024-10-01
发明(设计)人：
李伟
高苗苗
申请人：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区泰华梧桐工业园雨水(2A)栋3层
IPC主分类号：
H01L21/331
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/08
H01L29/739
代理机构：
深圳力拓知识产权代理有限公司 44313
代理人：
梁丹
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/331申请日:20240904 |
| 2024-11-22 | 授权 | 授权 |
| 2024-10-01 | 公开 | 公开 |