IGBT器件的元胞结构、IGBT器件及IGBT短路保护电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111023737.1

申请日：

2021-08-31

公开(公告)号：

CN115732494B

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

贾鹏飞芮强李巍

申请人：

无锡华润华晶微电子有限公司

申请人地址：

214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-22

IPC主分类号：

H10D89/10

IPC分类号：

H01L23/544 H10D89/60 H10D12/00

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

用于IGBT器件保护电路 [P].

万国华 ;

谢昌树 .

中国专利 :CN201682470U ,2010-12-22

[2]

IGBT器件结构 [P].

温世达 ;

陶少勇 ;

吕磊 ;

曹新明 .

中国专利 :CN210984734U ,2020-07-10

[3]

IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P].

吕昆谚 ;

黄任生 ;

颜天才 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN117253790B ,2024-02-09

[4]

IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P].

颜天才 ;

钟育腾 ;

吕昆谚 ;

黄任生 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN116721918B ,2024-12-27

[5]

一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法 [P].

李娜 ;

屈志军 .

中国专利 :CN121001367A ,2025-11-21

[6]

IGBT器件 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

陈琛 .

中国专利 :CN205231070U ,2016-05-11

[7]

IGBT器件 [P].

高宗朋 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119730269A ,2025-03-28

[8]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN120111912A ,2025-06-06

[9]

IGBT器件及IGBT器件的制备方法 [P].

高尚 .

中国专利 :CN115566058B ,2025-12-19

[10]

IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P].

王代利 ;

可瑞思 ;

万力 .

中国专利 :CN104091764B ,2014-10-08

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