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沟槽栅极型IGBT及其驱动方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410065355.2
申请日：
2024-01-17
公开(公告)号：
CN120166722A
公开(公告)日：
2025-06-17
发明(设计)人：
冈田哲也
仲敏行
申请人：
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址：
201205 上海市浦东新区龙东大道3000号张江集电港一期4号楼（C楼）7F
IPC主分类号：
H10D12/00
IPC分类号：
H10D12/01
H10D64/27
H10D62/10
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
赵超
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-17 | 公开 | 公开 |