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沟槽栅极IGBT
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201711263226.0
申请日
:
2017-12-05
公开(公告)号
:
CN108231865A
公开(公告)日
:
2018-06-29
发明(设计)人
:
神田良
松浦仁
菊地修一
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2908
H01L29423
H01L29739
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
张小稳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-01-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171205
2018-06-29
公开
公开
共 50 条
[1]
沟槽栅极型IGBT及其驱动方法
[P].
冈田哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
冈田哲也
;
新井宽己
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
新井宽己
.
中国专利
:CN118825054A
,2024-10-22
[2]
沟槽栅极型IGBT及其驱动方法
[P].
冈田哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
冈田哲也
;
仲敏行
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
仲敏行
.
中国专利
:CN120166722A
,2025-06-17
[3]
沟槽栅IGBT
[P].
刘国友
论文数:
0
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0
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0
刘国友
;
朱利恒
论文数:
0
引用数:
0
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朱利恒
;
黄建伟
论文数:
0
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0
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0
黄建伟
;
罗海辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗海辉
;
谭灿健
论文数:
0
引用数:
0
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0
谭灿健
;
杨鑫著
论文数:
0
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0
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杨鑫著
;
肖强
论文数:
0
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0
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肖强
;
文高
论文数:
0
引用数:
0
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0
文高
.
中国专利
:CN106941114A
,2017-07-11
[4]
沟槽栅IGBT
[P].
松浦仁
论文数:
0
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0
松浦仁
;
中泽芳人
论文数:
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0
中泽芳人
.
中国专利
:CN106229341A
,2016-12-14
[5]
微沟槽IGBT
[P].
俞义长
论文数:
0
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俞义长
;
赵善麒
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0
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0
赵善麒
.
中国专利
:CN215731728U
,2022-02-01
[6]
带有掩埋浮动P‑型屏蔽的双栅极沟槽IGBT
[P].
胡军
论文数:
0
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0
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0
胡军
;
马督儿·博德
论文数:
0
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0
马督儿·博德
;
哈姆扎·依玛兹
论文数:
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0
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哈姆扎·依玛兹
.
中国专利
:CN104051509B
,2014-09-17
[7]
沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置
[P].
郑大燮
论文数:
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0
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郑大燮
;
刘博
论文数:
0
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0
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0
刘博
;
陈德艳
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈德艳
.
中国专利
:CN106257627A
,2016-12-28
[8]
一种沟槽IGBT
[P].
俞义长
论文数:
0
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0
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0
俞义长
;
赵善麒
论文数:
0
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0
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0
赵善麒
.
中国专利
:CN211295108U
,2020-08-18
[9]
IE型沟槽栅IGBT
[P].
松浦仁
论文数:
0
引用数:
0
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0
松浦仁
;
中泽芳人
论文数:
0
引用数:
0
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0
中泽芳人
.
中国专利
:CN102790082B
,2012-11-21
[10]
非对称沟槽IGBT结构
[P].
俞义长
论文数:
0
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0
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0
俞义长
;
赵善麒
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵善麒
.
中国专利
:CN212907747U
,2021-04-06
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