降低沟槽型IGBT栅集电容并提高其击穿电压的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710020572.X

申请日：

2017-01-12

公开(公告)号：

CN106684129A

公开(公告)日：

2017-05-17

发明(设计)人：

步建康徐朝军李士垚

申请人：

申请人地址：

050022 河北省石家庄市槐安路与翟营大街交叉口财库商务大厦

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21336 H01L29739

代理机构：

石家庄科诚专利事务所 13113

代理人：

张红卫;刘谟培

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-17	公开	公开
2020-05-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/423 申请公布日:20170517
2017-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726053984 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:201710020572X 申请日:20170112

共 50 条

[1]

一种提高沟槽型VDMOS栅氧层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104779164B ,2015-07-15

[2]

一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104681444A ,2015-06-03

[3]

一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104779162B ,2015-07-15

[4]

沟槽栅功率器件及提高沟槽栅器件栅极击穿电压的方法 [P].

卢烁今 .

中国专利 :CN111883584A ,2020-11-03

[5]

一种测定沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104658937B ,2015-05-27

[6]

提高NLDMOS击穿电压的方法 [P].

韩峰 ;

董金珠 .

中国专利 :CN102412162B ,2012-04-11

[7]

改善沟槽型双层栅MOS器件的击穿电压的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130055A ,2011-07-20

[8]

一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN115588614A ,2023-01-10

[9]

一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN115588614B ,2025-09-12

[10]

具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件 [P].

李哲锋 ;

许生根 ;

姜梅 .

中国专利 :CN108767001A ,2018-11-06

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