提高NLDMOS击穿电压的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110376868.8

申请日：

2011-11-23

公开(公告)号：

CN102412162B

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

韩峰董金珠

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

孙大为

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	授权	授权
2012-04-11	公开	公开
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250910455 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103768688 申请日:20111123
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691495148 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103768688 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140116

共 50 条

[1]

提高击穿电压的方法 [P].

任栋梁 ;

钱亮 ;

李冰寒 ;

胡勇 .

中国专利 :CN102683216B ,2012-09-19

[2]

提高功率MOS场效应管击穿电压的方法 [P].

吴小利 ;

许丹 .

中国专利 :CN101707183B ,2010-05-12

[3]

监测栅极氧化层的击穿电压的方法 [P].

郭伟 ;

曾旭 ;

卢盈 .

中国专利 :CN113284818A ,2021-08-20

[4]

提高VDMOS器件击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107180763B ,2017-09-19

[5]

降低沟槽型IGBT栅集电容并提高其击穿电压的方法 [P].

步建康 ;

徐朝军 ;

李士垚 .

中国专利 :CN106684129A ,2017-05-17

[6]

提高自对准接触孔击穿电压的方法和多晶硅栅极结构 [P].

迟玉山 ;

吕煜坤 .

中国专利 :CN101452814B ,2009-06-10

[7]

提高高压LDMOS器件击穿电压的结构 [P].

宁开明 ;

董科 ;

武洁 ;

董金珠 .

中国专利 :CN103579313A ,2014-02-12

[8]

一种提高沟槽型VDMOS栅氧层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104779164B ,2015-07-15

[9]

NLDMOS器件及工艺方法 [P].

刘冬华 ;

段文婷 ;

钱文生 ;

胡君 ;

石晶 .

中国专利 :CN105448995A ,2016-03-30

[10]

提高磁隧道结中击穿电压的方法 [P].

J·H·尼克尔 .

中国专利 :CN1354519A ,2002-06-19

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