监测栅极氧化层的击穿电压的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110552647.5
申请日
2021-05-20
公开(公告)号
CN113284818A
公开(公告)日
2021-08-20
发明(设计)人
郭伟 曾旭 卢盈
申请人
申请人地址
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
H01L23544
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
罗磊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构以及测试栅极氧化层的击穿电压的方法 [P]. 
朱月芹 ;
宋永梁 .
中国专利 :CN106898562A ,2017-06-27
[2]
监测栅极氧化层厚度的方法和监测区 [P]. 
谷东光 .
中国专利 :CN119833427A ,2025-04-15
[3]
监测栅极氧化层厚度的方法和监测区 [P]. 
谷东光 .
中国专利 :CN119833427B ,2025-09-30
[4]
闪存及其制备方法及监测闪存隧穿氧化层击穿电压的方法 [P]. 
王卉 .
中国专利 :CN105070689A ,2015-11-18
[5]
提高NLDMOS击穿电压的方法 [P]. 
韩峰 ;
董金珠 .
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[6]
栅极氧化层的制造方法 [P]. 
张洪强 ;
彭坤 ;
赵连国 ;
王峰 ;
王海莲 ;
李磊 ;
呼翔 .
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[7]
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罗鹏程 ;
董天化 ;
朱赛亚 ;
杜海 ;
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[8]
栅极氧化层的形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN102486999A ,2012-06-06
[9]
栅极氧化层的形成方法 [P]. 
陈辉 ;
王明 .
中国专利 :CN112289682A ,2021-01-29
[10]
一种制备栅极氧化层的方法 [P]. 
张雪琴 ;
罗飞 .
中国专利 :CN103227107A ,2013-07-31