学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
监测栅极氧化层的击穿电压的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110552647.5
申请日
:
2021-05-20
公开(公告)号
:
CN113284818A
公开(公告)日
:
2021-08-20
发明(设计)人
:
郭伟
曾旭
卢盈
申请人
:
申请人地址
:
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
:
H01L2166
IPC分类号
:
H01L23544
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
罗磊
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20210520
2021-08-20
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体结构以及测试栅极氧化层的击穿电压的方法
[P].
朱月芹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱月芹
;
宋永梁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋永梁
.
中国专利
:CN106898562A
,2017-06-27
[2]
监测栅极氧化层厚度的方法和监测区
[P].
谷东光
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
谷东光
.
中国专利
:CN119833427A
,2025-04-15
[3]
监测栅极氧化层厚度的方法和监测区
[P].
谷东光
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
谷东光
.
中国专利
:CN119833427B
,2025-09-30
[4]
闪存及其制备方法及监测闪存隧穿氧化层击穿电压的方法
[P].
王卉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王卉
.
中国专利
:CN105070689A
,2015-11-18
[5]
提高NLDMOS击穿电压的方法
[P].
韩峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩峰
;
董金珠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
董金珠
.
中国专利
:CN102412162B
,2012-04-11
[6]
栅极氧化层的制造方法
[P].
张洪强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张洪强
;
彭坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
彭坤
;
赵连国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵连国
;
王峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王峰
;
王海莲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王海莲
;
李磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李磊
;
呼翔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
呼翔
.
中国专利
:CN104576343A
,2015-04-29
[7]
栅极氧化层的制备方法
[P].
罗鹏程
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗鹏程
;
董天化
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
董天化
;
朱赛亚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱赛亚
;
杜海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杜海
;
王亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王亮
.
中国专利
:CN104916532A
,2015-09-16
[8]
栅极氧化层的形成方法
[P].
何永根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何永根
.
中国专利
:CN102486999A
,2012-06-06
[9]
栅极氧化层的形成方法
[P].
陈辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈辉
;
王明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王明
.
中国专利
:CN112289682A
,2021-01-29
[10]
一种制备栅极氧化层的方法
[P].
张雪琴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张雪琴
;
罗飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗飞
.
中国专利
:CN103227107A
,2013-07-31
←
1
2
3
4
5
→