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监测栅极氧化层厚度的方法和监测区
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510025583.1
申请日：
2025-01-07
公开(公告)号：
CN119833427B
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
谷东光
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/66
IPC分类号：
H01L23/544
H01L21/67
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-05-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20250107 |
| 2025-09-30 | 授权 | 授权 |
| 2025-04-15 | 公开 | 公开 |