用于MOSFET制备的栅极氧化层稳定性监测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411480544.2

申请日：

2024-10-23

公开(公告)号：

CN119004269B

公开(公告)日：

2025-03-21

发明(设计)人：

谢刚徐显修

申请人：

浙江广芯微电子有限公司

申请人地址：

323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道七百秧街122号

IPC主分类号：

G06F18/2415

IPC分类号：

G06F18/22 G06F18/214

代理机构：

镇江至睿专利代理事务所(普通合伙) 32529

代理人：

王恒静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 18/2415申请日:20241023
2025-03-21	授权	授权
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

用于MOSFET制备的栅极氧化层稳定性监测方法 [P].

谢刚 ;

徐显修 .

中国专利 :CN119004269A ,2024-11-22

[2]

雪层稳定性监测方法及系统 [P].

朱家松 ;

陈梓军 ;

姜文宇 ;

朱焯杰 ;

张怀予 ;

黄雨贤 ;

朱松 ;

华远盛 ;

陈思宇 .

中国专利 :CN120403773B ,2025-10-28

[3]

雪层稳定性监测方法及系统 [P].

朱家松 ;

陈梓军 ;

姜文宇 ;

朱焯杰 ;

张怀予 ;

黄雨贤 ;

朱松 ;

华远盛 ;

陈思宇 .

中国专利 :CN120403773A ,2025-08-01

[4]

栅极氧化层的制备方法 [P].

罗鹏程 ;

董天化 ;

朱赛亚 ;

杜海 ;

王亮 .

中国专利 :CN104916532A ,2015-09-16

[5]

栅极氧化层制备方法及结构、栅极制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111063733A ,2020-04-24

[6]

监测栅极氧化层的击穿电压的方法 [P].

郭伟 ;

曾旭 ;

卢盈 .

中国专利 :CN113284818A ,2021-08-20

[7]

监测栅极氧化层厚度的方法和监测区 [P].

谷东光 .

中国专利 :CN119833427A ,2025-04-15

[8]

监测栅极氧化层厚度的方法和监测区 [P].

谷东光 .

中国专利 :CN119833427B ,2025-09-30

[9]

用于车轮稳定性监测系统的设备和方法 [P].

张玉彪 ;

S·卡赛扎德马哈巴迪 ;

E·阿萨迪 ;

N·梅拉比 ;

谭华林 .

中国专利 :CN114643990A ,2022-06-21

[10]

用于车轮稳定性监测系统的设备和方法 [P].

张玉彪 ;

S·卡赛扎德马哈巴迪 ;

E·阿萨迪 ;

N·梅拉比 ;

谭华林 .

美国专利 :CN114643990B ,2025-05-16

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