一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410017346.2

申请日：

2014-01-15

公开(公告)号：

CN104779162B

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

赵圣哲

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	公开	公开
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620055027 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014100173462 申请日:20140115
2017-08-25	授权	授权
2022-07-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20220718 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司

共 50 条

[1]

一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104681444A ,2015-06-03

[2]

一种提高沟槽型VDMOS栅氧层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104779164B ,2015-07-15

[3]

一种测定沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN104658937B ,2015-05-27

[4]

提高VDMOS器件击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107180763B ,2017-09-19

[5]

沟槽栅功率器件及提高沟槽栅器件栅极击穿电压的方法 [P].

卢烁今 .

中国专利 :CN111883584A ,2020-11-03

[6]

沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN104810268A ,2015-07-29

[7]

一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件 [P].

单亚东 ;

胡丹 ;

谢刚 .

中国专利 :CN220692030U ,2024-03-29

[8]

改善沟槽型双层栅MOS器件的击穿电压的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130055A ,2011-07-20

[9]

一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅 [P].

吴军民 ;

王耀华 ;

高明超 .

中国专利 :CN112002635A ,2020-11-27

[10]

降低沟槽型IGBT栅集电容并提高其击穿电压的方法 [P].

步建康 ;

徐朝军 ;

李士垚 .

中国专利 :CN106684129A ,2017-05-17

← 1 2 3 4 5 →