半导体器件、制造半导体器件的方法和电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880021855.9

申请日：

2018-02-15

公开(公告)号：

CN110494962A

公开(公告)日：

2019-11-22

发明(设计)人：

长滨嘉彦

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县厚木市朝日町4-14-1

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L2102 H01L21768 H01L23522 H01L27146

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：

张雪梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-22	公开	公开
2020-04-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20180215

共 50 条

[1]

半导体器件、制造半导体器件的方法和电子设备 [P].

长滨嘉彦 .

日本专利 :CN110494962B ,2024-01-12

[2]

半导体器件、半导体器件制造方法和电子设备 [P].

琴尾健吾 ;

武谷佑花里 ;

坂本明久 .

日本专利 :CN120113370A ,2025-06-06

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

余绍铭 ;

李东颖 ;

云惟胜 ;

杨富祥 .

中国专利 :CN109585555B ,2019-04-05

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

T·施勒塞尔 ;

A·梅瑟 .

中国专利 :CN105470140B ,2016-04-06

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN113675167B ,2025-08-01

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN120897498A ,2025-11-04

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

余绍铭 ;

李东颖 ;

云惟胜 ;

杨富祥 .

中国专利 :CN114664927A ,2022-06-24

[9]

半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

中国专利 :CN110520997A ,2019-11-29

[10]

半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

日本专利 :CN110520997B ,2024-05-14

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