微波等离子体发生装置及等离子蚀刻设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110254955.X

申请日：

2021-03-09

公开(公告)号：

CN113038683A

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

赵义党李志强李志华廖文晗贝亮

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-63474（集中办公区）

IPC主分类号：

H05H146

IPC分类号：

H01J3732 H05K300 H05K306

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

卢泽明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	公开	公开
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/46 申请日:20210309

共 50 条

[1]

微波等离子体发生装置 [P].

赵义党 ;

李志强 ;

李志华 ;

廖文晗 ;

贝亮 .

中国专利 :CN214429764U ,2021-10-19

[2]

微波等离子体发生装置、微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法 [P].

中川清和 ;

宇佐美由久 .

日本专利 :CN119586328A ,2025-03-07

[3]

微波等离子体发生设备和等离子体炬 [P].

Z·扎科泽斯基 ;

M·穆伊桑 ;

D·介朗 ;

J-C·罗斯坦 .

中国专利 :CN101803471B ,2010-08-11

[4]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

石井孝幸 .

中国专利 :CN104253036A ,2014-12-31

[5]

等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法 [P].

久保田和宏 ;

斋藤祐介 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN102683247A ,2012-09-19

[6]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

川上雅人 ;

永关澄江 .

中国专利 :CN102187439A ,2011-09-14

[7]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

广瀬久 .

中国专利 :CN100426473C ,2006-06-21

[8]

等离子体蚀刻设备 [P].

赵义党 ;

李志强 ;

李志华 ;

廖文晗 ;

贝亮 .

中国专利 :CN306551323S ,2021-05-18

[9]

等离子体发生装置 [P].

叶燕峰 .

中国专利 :CN205041832U ,2016-02-24

[10]

等离子体发生装置 [P].

周卫云 ;

杨鑫 ;

周海山 ;

李宇 ;

慕香红 ;

罗广南 .

中国专利 :CN120358657A ,2025-07-22

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