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一种B掺杂AlN单晶及制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311530332.6
申请日
:
2023-11-16
公开(公告)号
:
CN117385468A
公开(公告)日
:
2024-01-12
发明(设计)人
:
王国栋
曹文豪
张雷
王守志
俞娇仙
徐现刚
申请人
:
山东大学
申请人地址
:
250100 山东省济南市历下区山大南路27号
IPC主分类号
:
C30B29/38
IPC分类号
:
C30B23/00
代理机构
:
济南格源知识产权代理有限公司 37306
代理人
:
韩洪淼
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-12
公开
公开
2024-01-30
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/38申请日:20231116
共 50 条
[1]
一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法
[P].
吴荣
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吴荣
;
任会会
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任会会
;
姜楠楠
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姜楠楠
;
任银拴
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任银拴
;
简基康
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简基康
;
李锦
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李锦
;
孙言飞
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孙言飞
.
中国专利
:CN102321915A
,2012-01-18
[2]
一种单晶炉掺杂装置、单晶炉及掺杂方法
[P].
王鹏
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
王鹏
;
高贻刚
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
高贻刚
;
汪沛渊
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
汪沛渊
;
汪高峰
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鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
汪高峰
;
李一得
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
李一得
;
张林儿
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
张林儿
;
冷伟
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
冷伟
;
徐明喜
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鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
徐明喜
;
苏明
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机构:
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
鄂尔多斯市中成榆能源有限公司
苏明
.
中国专利
:CN120738748A
,2025-10-03
[3]
一种AlN单晶扩径生长的方法及装置
[P].
于彤军
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于彤军
;
赵起悦
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赵起悦
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朱星宇
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朱星宇
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吴洁君
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吴洁君
;
韩彤
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韩彤
;
沈波
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沈波
.
中国专利
:CN110791811A
,2020-02-14
[4]
一种单晶生长炉架及单晶生长方法
[P].
崔国维
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
崔国维
;
王滔
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
王滔
;
罗利强
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
罗利强
;
毕宏岩
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
毕宏岩
.
中国专利
:CN118422315A
,2024-08-02
[5]
透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件
[P].
刘乃鑫
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刘乃鑫
;
魏同波
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魏同波
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魏学成
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魏学成
;
王军喜
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王军喜
;
李晋闽
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李晋闽
.
中国专利
:CN109461644B
,2019-03-12
[6]
一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法
[P].
于彤军
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于彤军
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赵起悦
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赵起悦
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吴洁君
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吴洁君
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朱星宇
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朱星宇
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李孟达
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李孟达
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韩彤
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韩彤
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沈波
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沈波
.
中国专利
:CN109183143A
,2019-01-11
[7]
一种PVT生长AlN单晶过程中籽晶表面预处理的方法
[P].
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机构:
张雷
;
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机构:
曹文豪
;
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机构:
俞瑞仙
;
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机构:
王守志
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机构:
王国栋
;
陈成敏
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机构:
山东大学
山东大学
陈成敏
;
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机构:
徐现刚
.
中国专利
:CN117822099A
,2024-04-05
[8]
一种制备氮化铝单晶的装置和长时稳定生长氮化铝单晶的方法
[P].
王增华
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
王增华
;
程红娟
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
程红娟
;
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机构:
王英民
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张弛
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
张弛
;
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机构:
张丽
;
高飞
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
高飞
;
张颖
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
张颖
.
中国专利
:CN120401014A
,2025-08-01
[9]
Si掺杂的AlN模板、制备方法及AlGaN基LED光源
[P].
赵张媛
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
赵张媛
;
徐广源
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
徐广源
;
张童
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
张童
;
郭凯
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
郭凯
;
李开心
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
李开心
;
唐志文
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机构:
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
唐志文
;
论文数:
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机构:
李晋闽
.
中国专利
:CN120400992A
,2025-08-01
[10]
一种制备AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法
[P].
简基康
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简基康
;
李海兵
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李海兵
;
吴荣
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吴荣
;
孙言飞
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孙言飞
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李锦
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李锦
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中国专利
:CN101851781B
,2010-10-06
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